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描述
hgt1s10n120bns
IGBT 晶体管 35A 1200V NPT N-Ch
否
Fairchild Semiconductor
集电极—发射极最大电压
650 V
2.3 V
20 V 在25
150 A
400 nA
187 W
TO-247
Tube
HGT1S10N120BNS
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FAIRCHILD
8
217 kb
35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT